Различия
Показаны различия между двумя версиями страницы.
| Предыдущая версия справа и слева Предыдущая версия Следующая версия | Предыдущая версия | ||
|
lab1:capacitance [2018/11/22 12:48] root_s |
lab1:capacitance [2025/07/01 11:59] (текущий) |
||
|---|---|---|---|
| Строка 1: | Строка 1: | ||
| + | =====Электроемкость===== | ||
| + | |||
| При увеличении заряда $q$ проводника пропорционально возрастает поверхностная плотность зарядов в любой точке его поверхности: | При увеличении заряда $q$ проводника пропорционально возрастает поверхностная плотность зарядов в любой точке его поверхности: | ||
| - | + | $$\sigma = kq, \ \ \ \ \ (25)$$ | |
| - | $\sigma = kq$, (25) | + | |
| где $k$ --- некоторая функция координат рассматриваемой точки поверхности. Потенциал поля, создаваемого заряженным проводником в однородном и изотропном диэлектрике: | где $k$ --- некоторая функция координат рассматриваемой точки поверхности. Потенциал поля, создаваемого заряженным проводником в однородном и изотропном диэлектрике: | ||
| - | + | $$\varphi = \frac{1}{4\pi \varepsilon \varepsilon _0} \int\limits_S \frac{\sigma dS}{r} = | |
| - | $\varphi = \frac{1}{4\pi \varepsilon \varepsilon _0} \int\limits_S \frac{\sigma dS}{r} = | + | |
| - | | + | $$\varphi = \frac{1}{\varepsilon } \int\limits_S \frac{\sigma dS}{r} = |
| - | + | | |
| - | $\varphi = \frac{1}{\varepsilon } \int\limits_S \frac{\sigma dS}{r} = | + | |
| - | | + | |
| Для точек поверхности $S$ проводника интеграл зависит только от ее размеров и формы. | Для точек поверхности $S$ проводника интеграл зависит только от ее размеров и формы. | ||
| Потенциал $\varphi $ уединенного заряженного проводника, | Потенциал $\varphi $ уединенного заряженного проводника, | ||
| - | + | $$C = \frac{q}{\varphi}= | |
| - | $C = \frac{q}{\varphi}= | + | 4\pi \varepsilon \varepsilon _0 \Bigl(\int\limits_S \frac{k dS}{r}\Bigr)^{-1}, |
| - | 4\pi \varepsilon \varepsilon _0 \Bigl(\int\limits_S \frac{k dS}{r}\Bigr)^{-1}$, (СИ) (27) | + | $$C = \frac{q}{\varphi}= |
| - | + | | |
| - | $C = \frac{q}{\varphi}= | + | |
| - | | + | |
| называется // | называется // | ||
| Емкость уединенного шара: | Емкость уединенного шара: | ||
| - | + | $$C= 4\pi \varepsilon \varepsilon _0 R \ \ (СИ), | |
| - | $C= 4\pi \varepsilon \varepsilon _0 R$ (СИ), | + | $$C= \varepsilon R \ \ (СГС), |
| - | + | ||
| - | $C= \varepsilon R$ | + | |
| где $R$ --- радиус шара, $ \varepsilon $ --- относительная диэлектрическая проницаемость окружающей среды, $\varepsilon _0$ --- электрическая постоянная. | где $R$ --- радиус шара, $ \varepsilon $ --- относительная диэлектрическая проницаемость окружающей среды, $\varepsilon _0$ --- электрическая постоянная. | ||
| Взаимной электроемкостью двух проводников называется величина, | Взаимной электроемкостью двух проводников называется величина, | ||
| - | + | $$C = \frac{q}{\varphi_1 - \varphi_2}. | |
| - | $C = \frac{q}{\varphi_1 - \varphi_2}. (29) | + | |
| Взаимная емкость зависит от формы, размеров и взаимного расположения проводников, | Взаимная емкость зависит от формы, размеров и взаимного расположения проводников, | ||
| Строка 40: | Строка 29: | ||
| Емкость плоского конденсатора: | Емкость плоского конденсатора: | ||
| + | $$C = \frac{\varepsilon \varepsilon _0 S}{d} \ \ (СИ), \ \ \ \ \ (30)$$ | ||
| + | $$C = \frac{\varepsilon S}{4 \pi d} \ \ (СГС), \ \ \ \ \ (30а)$$ | ||
| + | где $S$ --- площадь каждой из пластин или меньшей из них, $d$ --- расстояние между пластинами. | ||
| - | $C = \frac{\varepsilon \varepsilon _0 S}{d}$ | + | Далее [[Dielectrics_in_an_electric_field|Диэлектрики в электрическом поле]] |
| - | + | ||
| - | $C = \frac{\varepsilon S}{4 \pi d}$ | + | |
| - | + | ||
| - | где $S$ --- площадь | + | |