lab2:вах

Различия

Показаны различия между двумя версиями страницы.

Ссылка на это сравнение

Следующая версия 		Предыдущая версия
lab2:вах [2019/03/22 07:07]
root_s создано 		lab2:вах [2025/07/01 11:59] (текущий)
Строка 11: Строка 11:
 $I_{a}=f(U_{a}).$ Поскольку конкретный вид ВАХ зависит от величины $I_{a}=f(U_{a}).$ Поскольку конкретный вид ВАХ зависит от величины
 тока накала, то работа диода описывается семейством ВАХ $I_{a}=\left.f(U_{a})\right|_{I_{H}=const}.$ тока накала, то работа диода описывается семейством ВАХ $I_{a}=\left.f(U_{a})\right|_{I_{H}=const}.$
- +{{:lab2:21-6.png?500 |рис. 7}} 
-\begin{center} +/* {{:lab2:pic07.png?500 |}} */
-\includegraphics[scale=0.3]{pic07} +
-\par\end{center} +
 На рис. 7 изображено семейство и одиночная ВАХ диода. Режим отрицательного На рис. 7 изображено семейство и одиночная ВАХ диода. Режим отрицательного
-анодного напряжения (I) называется \textbf{режимом задерживающего +анодного напряжения (I) называется **режимом задерживающего 
-потенциала}. В первом приближении можно считать, что в этой области +потенциала.** В первом приближении можно считать, что в этой области 
-зависимость тока от напряжения носит экспоненциальный характер (\ref{eq:4})+зависимость тока от напряжения носит экспоненциальный характер 
 +$$ 
 +j_{a}=j_{em}\exp(\frac{eU_{a}}{kT}),\ \ \ j_{em}=AT^{2}\exp(-\frac{\varphi}{kT}), 
 +$$
 и определяется максвелловским распределением электронов по скоростям. и определяется максвелловским распределением электронов по скоростям.
 Этот режим используется в лабораторной работе 2.3. Этот режим используется в лабораторной работе 2.3.
  
-\textbf{Режим ``закона трех вторых''} (область II) используется +**Режим "закона трех вторых"** (область II) используется 
-в работе 2.2. Можно считать, что в этой области зависимость анодного +в работе 2.2. Можно считать, что в этой области зависимость плотности анодного 
-тока от анодного напряжения описывается формулой (\ref{eq:6}). +тока от анодного напряжения описывается формулой  
 +$$ 
 +j_{a}=\frac{\sqrt{2}}{9\pi}\sqrt{\frac{e}{m}}\frac{U_{a}^{\frac{3}{2}}}{r^2_{a}\beta^{2}}. 
 +$$
  
 Области режимов I и II разделены областью переходного режима I', в Области режимов I и II разделены областью переходного режима I', в
Строка 33: Строка 36:
 к отклонениям от расчетных формул.  к отклонениям от расчетных формул. 
  
-\textbf{Режим эффекта Шоттки} (область III) также отделен от режима+**Режим эффекта Шоттки** (область III) также отделен от режима
 трех вторых переходной областью II', в которой проявляется неоднородность трех вторых переходной областью II', в которой проявляется неоднородность
 температуры и работы выхода по поверхности катода. В области III анодный температуры и работы выхода по поверхности катода. В области III анодный
 ток равен току эмиссии $I_{a}=I_{em}$ и его зависимость от анодного ток равен току эмиссии $I_{a}=I_{em}$ и его зависимость от анодного
 напряжения (от напряженности поля вблизи катода) описывается формулой напряжения (от напряженности поля вблизи катода) описывается формулой
-(\ref{eq:7}). Этот режим используется в лабораторной работе 2.1. +$$ 
 +j_{\text{кн}}=j_{\text{э}}\exp\frac{\sqrt{e^{3}E_{к}}}{kT}. 
 +$$ 
 +Этот режим используется в лабораторной работе 2.1. 
  
 +Назад к теме [[режимы_работы_диода|Режимы работы диода]] или далее [[обработка_вах|Общие практические рекомендации по обработке ВАХ при выполнении работ]]