Различия
Показаны различия между двумя версиями страницы.
Следующая версия | Предыдущая версия | ||
lab2:вах [2019/03/22 14:07] root_s создано |
lab2:вах [2024/08/22 17:08] (текущий) root |
||
---|---|---|---|
Строка 11: | Строка 11: | ||
$I_{a}=f(U_{a}).$ Поскольку конкретный вид ВАХ зависит от величины | $I_{a}=f(U_{a}).$ Поскольку конкретный вид ВАХ зависит от величины | ||
тока накала, | тока накала, | ||
- | + | {{: | |
- | \begin{center} | + | /* {{:lab2:pic07.png?500 |}} */ |
- | \includegraphics[scale=0.3]{pic07} | + | |
- | \par\end{center} | + | |
На рис. 7 изображено семейство и одиночная ВАХ диода. Режим отрицательного | На рис. 7 изображено семейство и одиночная ВАХ диода. Режим отрицательного | ||
- | анодного напряжения (I) называется | + | анодного напряжения (I) называется |
- | потенциала}. В первом приближении можно считать, | + | потенциала.** В первом приближении можно считать, |
- | зависимость тока от напряжения носит экспоненциальный характер (\ref{eq:4}) | + | зависимость тока от напряжения носит экспоненциальный характер |
+ | $$ | ||
+ | j_{a}=j_{em}\exp(\frac{eU_{a}}{kT}),\ \ \ j_{em}=AT^{2}\exp(-\frac{\varphi}{kT}), | ||
+ | $$ | ||
и определяется максвелловским распределением электронов по скоростям. | и определяется максвелловским распределением электронов по скоростям. | ||
Этот режим используется в лабораторной работе 2.3. | Этот режим используется в лабораторной работе 2.3. | ||
- | \textbf{Режим | + | **Режим |
- | в работе 2.2. Можно считать, | + | в работе 2.2. Можно считать, |
- | тока от анодного напряжения описывается формулой | + | тока от анодного напряжения описывается формулой |
+ | $$ | ||
+ | j_{a}=\frac{\sqrt{2}}{9\pi}\sqrt{\frac{e}{m}}\frac{U_{a}^{\frac{3}{2}}}{r^2_{a}\beta^{2}}. | ||
+ | $$ | ||
Области режимов I и II разделены областью переходного режима I', в | Области режимов I и II разделены областью переходного режима I', в | ||
Строка 33: | Строка 36: | ||
к отклонениям от расчетных формул. | к отклонениям от расчетных формул. | ||
- | \textbf{Режим эффекта Шоттки} (область III) также отделен от режима | + | **Режим эффекта Шоттки** (область III) также отделен от режима |
трех вторых переходной областью II', в которой проявляется неоднородность | трех вторых переходной областью II', в которой проявляется неоднородность | ||
температуры и работы выхода по поверхности катода. В области III анодный | температуры и работы выхода по поверхности катода. В области III анодный | ||
ток равен току эмиссии $I_{a}=I_{em}$ и его зависимость от анодного | ток равен току эмиссии $I_{a}=I_{em}$ и его зависимость от анодного | ||
напряжения (от напряженности поля вблизи катода) описывается формулой | напряжения (от напряженности поля вблизи катода) описывается формулой | ||
- | (\ref{eq:7}). Этот режим используется в лабораторной работе 2.1. | + | $$ |
+ | j_{\text{кн}}=j_{\text{э}}\exp\frac{\sqrt{e^{3}E_{к}}}{kT}. | ||
+ | $$ | ||
+ | Этот режим используется в лабораторной работе 2.1. | ||
+ | Назад к теме [[режимы_работы_диода|Режимы работы диода]] или далее [[обработка_вах|Общие практические рекомендации по обработке ВАХ при выполнении работ]] |