Различия

Показаны различия между двумя версиями страницы.

--- lab2:вах [2019/03/22 07:19]
root_s
+++ lab2:вах [2025/07/01 11:59] (текущий)
@@ Строка 11: / Строка 11: @@
 $I_{a}=f(U_{a}).$ Поскольку конкретный вид ВАХ зависит от величины
 тока накала, то работа диода описывается семейством ВАХ $I_{a}=\left.f(U_{a})\right|_{I_{H}=const}.$
-{{:lab2:pic07.png?500 |}}
+{{:lab2:21-6.png?500 |рис. 7}}
+/* {{:lab2:pic07.png?500 |}} */
 На рис. 7 изображено семейство и одиночная ВАХ диода. Режим отрицательного
 анодного напряжения (I) называется **режимом задерживающего
@@ Строка 17: / Строка 18: @@
 зависимость тока от напряжения носит экспоненциальный характер
 $$
-j_{K}=j_{em}\exp(\frac{eU_{a}}{kT}),\ \ \ j_{em}=AT^{2}\exp(-\frac{\varphi}{kT}),
+j_{a}=j_{em}\exp(\frac{eU_{a}}{kT}),\ \ \ j_{em}=AT^{2}\exp(-\frac{\varphi}{kT}),
 $$
 и определяется максвелловским распределением электронов по скоростям.
@@ Строка 23: / Строка 24: @@
 **Режим "закона трех вторых"** (область II) используется
-в работе 2.2. Можно считать, что в этой области зависимость анодного
+в работе 2.2. Можно считать, что в этой области зависимость плотности анодного
 тока от анодного напряжения описывается формулой
 $$
-j_{K}=\frac{\sqrt{2}}{9\pi}\sqrt{\frac{e}{m}}\frac{U_{a}^{\frac{3}{2}}}{r_{a}r_{k}\beta^{2}}.
+j_{a}=\frac{\sqrt{2}}{9\pi}\sqrt{\frac{e}{m}}\frac{U_{a}^{\frac{3}{2}}}{r^2_{a}\beta^{2}}.
 $$
@@ Строка 41: / Строка 42: @@
 напряжения (от напряженности поля вблизи катода) описывается формулой
 $$
-j_{\text{дн}}=j_{\text{э}}\exp\frac{\sqrt{e^{3}E_{K}}}{kT}.
+j_{\text{кн}}=j_{\text{э}}\exp\frac{\sqrt{e^{3}E_{к}}}{kT}.
 $$
 Этот режим используется в лабораторной работе 2.1.
-Назад к теме [[режимы_работы_диода|Режимы работы диода]] или далее [[режимы_работы_диода|Режимы работы диода]]
+Назад к теме [[режимы_работы_диода|Режимы работы диода]] или далее [[обработка_вах|Общие практические рекомендации по обработке ВАХ при выполнении работ]]