lab4:приложение_41

Различия

Показаны различия между двумя версиями страницы.

Ссылка на это сравнение

Предыдущая версия справа и слева Предыдущая версия
Следующая версия 		Предыдущая версия
lab4:приложение_41 [2019/04/06 09:54]
root_s 		lab4:приложение_41 [2025/07/01 11:59] (текущий)
Строка 6: Строка 6:
 {{ :lab4:47.png?400 |Вероятность заполнения f_n или освобождения  f_p  уровней в чистом полупроводнике: а -- положение уровня Ферми; b -- положение функции Ферми для двух значений температуры.}} {{ :lab4:47.png?400 |Вероятность заполнения f_n или освобождения  f_p  уровней в чистом полупроводнике: а -- положение уровня Ферми; b -- положение функции Ферми для двух значений температуры.}}
 перераспределился бы таким образом, что падение напряжения между контактами 1--2 не было, а напряжение между контактами 3--4 было бы пропорционально току I. Нечто похожее обнаружили в 1980 г. первооткрыватели квантового эффекта Холла фон Клитцинг с коллегами. Они увидели падение до нуля напряжения между контактами 1--2, Холловское напряжение при этом выходило на плато и не менялось при изменении магнитного поля. При этом соотношение Холловского напряжения к току было кратно кванту сопротивления he2 (25 813 Ом). Такой режим называется целочисленным квантовым эффектом Холла. За открытие этого эффекта фон Клитцингу была присуждена Нобелевская премия по физике.  перераспределился бы таким образом, что падение напряжения между контактами 1--2 не было, а напряжение между контактами 3--4 было бы пропорционально току I. Нечто похожее обнаружили в 1980 г. первооткрыватели квантового эффекта Холла фон Клитцинг с коллегами. Они увидели падение до нуля напряжения между контактами 1--2, Холловское напряжение при этом выходило на плато и не менялось при изменении магнитного поля. При этом соотношение Холловского напряжения к току было кратно кванту сопротивления he2 (25 813 Ом). Такой режим называется целочисленным квантовым эффектом Холла. За открытие этого эффекта фон Клитцингу была присуждена Нобелевская премия по физике. 
 +
 +Назад к [[:lab4:движение_носителей|Движение носителей заряда в полупроводниках, помещенных в магнитное поле. Эффект Холла]], далее [[:lab4:приложение_42|Приложение 2. Собственная концентрация электронов]]