lab4:приложение_41

Различия

Показаны различия между двумя версиями страницы.

Ссылка на это сравнение

Предыдущая версия справа и слева Предыдущая версия
lab4:приложение_41 [2019/04/06 16:54]
root_s
lab4:приложение_41 [2019/09/13 12:41] (текущий)
root_s
Строка 6: Строка 6:
 {{ :lab4:47.png?400 |Вероятность заполнения f_n или освобождения  f_p  уровней в чистом полупроводнике: а -- положение уровня Ферми; b -- положение функции Ферми для двух значений температуры.}} {{ :lab4:47.png?400 |Вероятность заполнения f_n или освобождения  f_p  уровней в чистом полупроводнике: а -- положение уровня Ферми; b -- положение функции Ферми для двух значений температуры.}}
 перераспределился бы таким образом, что падение напряжения между контактами 1--2 не было, а напряжение между контактами 3--4 было бы пропорционально току $I.$ Нечто похожее обнаружили в 1980 г. первооткрыватели квантового эффекта Холла фон Клитцинг с коллегами. Они увидели падение до нуля напряжения между контактами 1--2, Холловское напряжение при этом выходило на плато и не менялось при изменении магнитного поля. При этом соотношение Холловского напряжения к току было кратно кванту сопротивления $\frac{h}{e^2}$ (25 813 Ом). Такой режим называется целочисленным квантовым эффектом Холла. За открытие этого эффекта фон Клитцингу была присуждена Нобелевская премия по физике.  перераспределился бы таким образом, что падение напряжения между контактами 1--2 не было, а напряжение между контактами 3--4 было бы пропорционально току $I.$ Нечто похожее обнаружили в 1980 г. первооткрыватели квантового эффекта Холла фон Клитцинг с коллегами. Они увидели падение до нуля напряжения между контактами 1--2, Холловское напряжение при этом выходило на плато и не менялось при изменении магнитного поля. При этом соотношение Холловского напряжения к току было кратно кванту сопротивления $\frac{h}{e^2}$ (25 813 Ом). Такой режим называется целочисленным квантовым эффектом Холла. За открытие этого эффекта фон Клитцингу была присуждена Нобелевская премия по физике. 
 +
 +Назад к [[:lab4:движение_носителей|Движение носителей заряда в полупроводниках, помещенных в магнитное поле. Эффект Холла]], далее [[:lab4:приложение_42|Приложение 2. Собственная концентрация электронов]]