lab4:приложение_42

Различия

Показаны различия между двумя версиями страницы.

Ссылка на это сравнение

Предыдущая версия справа и слева Предыдущая версия
Следующая версия 		Предыдущая версия
lab4:приложение_42 [2019/04/06 17:05]
root_s 		lab4:приложение_42 [2019/09/13 12:43] (текущий)
root_s
Строка 17: Строка 17:
 Заменяя $f_{F} $ и интегрируя, получаем  Заменяя $f_{F} $ и интегрируя, получаем 
 $$ $$
-n_{i} =\frac{2(2\pi m_{n}^{*} kT)^{3/2} }{h^{3} } e^{\frac{E_{F} }{kT} } .     +n_{i} =\frac{2(2\pi m_{n}^{*} kT)^{\frac 32} }{h^{3} } e^{\frac{E_{F} }{kT} } .     
 $$ $$
 Аналогично для концентрации дырок:  Аналогично для концентрации дырок: 
 $$ $$
-p_{i} =\frac{2(2\pi m_{p}^{*} kT)^{{3\mathord{\left/ {\vphantom {3 }} \right. \kern-\nulldelimiterspace} } 2} }{h^{3} } e^{-\frac{E_{g} +E_{F} }{kT} } .    +p_{i} =\frac{2(2\pi m_{p}^{*} kT)^{\frac 32}}{h^3} e^{-\frac{E_g +E_F}{kT}} .    
 $$ $$
 В собственном полупроводнике $n_{i} =p_{i} $. Тогда из последних соотношений получаем искомую зависимость $n_{i} $ от температуры: В собственном полупроводнике $n_{i} =p_{i} $. Тогда из последних соотношений получаем искомую зависимость $n_{i} $ от температуры:
 $$ $$
-n_{i} =\sqrt{n_{i} p_{i} } =\frac{2(2\pi \sqrt{m_{n}^{*} m_{p}^{*} } kT)^{\frac 32} e^{-\frac{E_{g} }{2kT} } .+n_{i} =\sqrt{n_{i} p_{i} } =\frac{2(2\pi \sqrt{m_{n}^{*} m_{p}^{*} } kT)^{\frac 32}}{h^3} e^{-\frac{E_g}{2kT}}.
 $$  $$ 
  
 +Назад  к [[:lab4:приложение_41|Приложение 1. Эффект Холла в сильном магнитном поле (для дополнительного чтения)]], далее к [[lab4:lab4|описанию]] лабораторных работ "Электрические и магнитные свойства твердых тел"