Различия
Показаны различия между двумя версиями страницы.
| Предыдущая версия справа и слева Предыдущая версия Следующая версия | Предыдущая версия | ||
|
lab4:приложение_42 [2019/04/06 17:07] root_s |
lab4:приложение_42 [2019/09/13 12:43] (текущий) root_s |
||
|---|---|---|---|
| Строка 21: | Строка 21: | ||
| Аналогично для концентрации дырок: | Аналогично для концентрации дырок: | ||
| $$ | $$ | ||
| - | p_{i} =\frac{2(2\pi m_{p}^{*} kT)^{\frac 32}{h^{3} } e^{-\frac{E_{g} +E_{F} }{kT} } . | + | p_{i} =\frac{2(2\pi m_{p}^{*} kT)^{\frac 32}}{h^3} e^{-\frac{E_g +E_F}{kT}} . |
| $$ | $$ | ||
| В собственном полупроводнике $n_{i} =p_{i} $. Тогда из последних соотношений получаем искомую зависимость $n_{i} $ от температуры: | В собственном полупроводнике $n_{i} =p_{i} $. Тогда из последних соотношений получаем искомую зависимость $n_{i} $ от температуры: | ||
| $$ | $$ | ||
| - | n_{i} =\sqrt{n_{i} p_{i} } =\frac{2(2\pi \sqrt{m_{n}^{*} m_{p}^{*} } kT)^{\frac 32} e^{-\frac{E_{g} }{2kT} } . | + | n_{i} =\sqrt{n_{i} p_{i} } =\frac{2(2\pi \sqrt{m_{n}^{*} m_{p}^{*} } kT)^{\frac 32}}{h^3} e^{-\frac{E_g}{2kT}}. |
| $$ | $$ | ||
| + | Назад | ||