lab4:проводимость

Различия

Показаны различия между двумя версиями страницы.

Ссылка на это сравнение

Предыдущая версия справа и слева Предыдущая версия
Следующая версия 		Предыдущая версия
lab4:проводимость [2019/04/04 20:24]
root_s 		lab4:проводимость [2019/09/13 12:38] (текущий)
root_s
Строка 56: Строка 56:
 u_{n,p} =\frac{e\cdot Const_{n,p} }{\sqrt{3km_{n,p}^{*} } } T^{-\frac{3}{2}}.    u_{n,p} =\frac{e\cdot Const_{n,p} }{\sqrt{3km_{n,p}^{*} } } T^{-\frac{3}{2}}.   
 $$ $$
-Подставляя выражения для концентраций \eqref{GrindEQ__3_}, \eqref{GrindEQ__4_} и подвижностей \eqref{GrindEQ__11_} в формулу \eqref{GrindEQ__2_}, получаем выражение для температурной зависимости электропроводности собственного (беспримесного) полупроводника:+Подставляя выражения для концентраций и подвижностей в формулу (*), получаем выражение для температурной зависимости электропроводности собственного (беспримесного) полупроводника:
 $$ $$
 \sigma _{i} =\sigma _{0} e^{-\frac{E_g}{2kT}} ,     \sigma _{i} =\sigma _{0} e^{-\frac{E_g}{2kT}} ,    
 $$ $$
 где предэкспоненциальный множитель $\sigma _{0} $ не зависит от температуры и определяется свойствами полупроводника. где предэкспоненциальный множитель $\sigma _{0} $ не зависит от температуры и определяется свойствами полупроводника.
 +
 +Назад к  [[:lab4:элементы_зонной_теории|Элементы зонной теории твердого тела]], далее  [[:lab4:подвижность|Подвижность и коэффициент диффузии носителей заряда  в полупроводниках]]