| Предыдущая версия справа и слева
Предыдущая версия
Следующая версия
|
Предыдущая версия
|
lab4:сегнетоэлектрические_керамики [2019/04/07 20:05]
root_s |
lab4:сегнетоэлектрические_керамики [2019/09/10 17:25] (текущий)
root_s |
| Из рис. 5 видно, что замещение титана стронцием уменьшает температуру фазового перехода этого твердого раствора от $120^{\circ}$С до --- $150^{\circ}$С (при 80 % SrTiO${}_{3}$). | Из рис. 5 видно, что замещение титана стронцием уменьшает температуру фазового перехода этого твердого раствора от $120^{\circ}$С до --- $150^{\circ}$С (при 80 % SrTiO${}_{3}$). |
| {{ :lab4:s06.png?400 |}} | {{ :lab4:s06.png?400 |}} |
| Рис. 6 иллюстрирует «сглаживание» пиков диэлектрической проницаемости, которое происходит при увеличении содержания CaTiO${}_{3}$ в растворе. Для создания сегнетоэлектрических керамик используются также твердые растворы с несколькими компонентами. Если в керамике созданы неоднородные внутренние напряжения, то, из-за суперпозиции нескольких кривых со слегка смещенными по температуре пиками, результирующая кривая становится более пологой. Так, например, пик диэлектрической проницаемости кристалла чистого титаната бария при 120~$\mathrm{{}^\circ}$С смещается при внесении добавок стронция и кальция до 30~$\mathrm{{}^\circ}$С, причем пик сильно сглаживается: \textit{$\varepsilon$} уменьшается лишь вдвое при изменении температуры на $\mathrm{\pm}$~50~$\mathrm{{}^\circ}$С. | Рис. 6 иллюстрирует «сглаживание» пиков диэлектрической проницаемости, которое происходит при увеличении содержания CaTiO${}_{3}$ в растворе. Для создания сегнетоэлектрических керамик используются также твердые растворы с несколькими компонентами. Если в керамике созданы неоднородные внутренние напряжения, то, из-за суперпозиции нескольких кривых со слегка смещенными по температуре пиками, результирующая кривая становится более пологой. Так, например, пик диэлектрической проницаемости кристалла чистого титаната бария при $120^{\circ}$С смещается при внесении добавок стронция и кальция до $30^{\circ}$С, причем пик сильно сглаживается: $\varepsilon$ уменьшается лишь вдвое при изменении температуры на $\pm 50^{\circ}$С. |
| |
| Эти свойства сегнетоэлектрических керамик используются при создании различных типов малогабаритных конденсаторов большой емкости. Некоторые из них обладают уникальными свойствами, например: \textit{вариконд}~--~конденсатор, заполненный сегнетокерамикой, емкость которого нелинейно зависит от приложенного напряжения, и \textit{компенсирующий конденсатор}, емкость которого изменяется при нагреве. Сегнетэлектрическая керамика для варикондов изготовлена на основе твердых растворов Ba(Ti,Sn)O${}_{3}$ или Pb(Ni,Zr,Sn)O${}_{3}$. Некоторые сегнетоэлектрические свойства варикондов приведены в табл. 3. | Эти свойства сегнетоэлектрических керамик используются при создании различных типов малогабаритных конденсаторов большой емкости. Некоторые из них обладают уникальными свойствами, например: //вариконд// --- конденсатор, заполненный сегнетокерамикой, емкость которого нелинейно зависит от приложенного напряжения, и //компенсирующий конденсатор,// емкость которого изменяется при нагреве. Сегнетэлектрическая керамика для варикондов изготовлена на основе твердых растворов Ba(Ti,Sn)O${}_{3}$ или Pb(Ni,Zr,Sn)O${}_{3}$. Некоторые сегнетоэлектрические свойства варикондов приведены в табл. 3. |
| |
| \noindent \textit{Таблица 3.} | **Таблица 3.** |
| | |
| \noindent \textbf{Свойства сегнетокерамики для варикондов} | |
| | |
| \begin{tabular}{|p{1.2in}|p{1.0in}|p{0.9in}|} \hline | |
| \textbf{Материал} & \textbf{\textit{T${}_{c}$ $\boldsymbol{{}^\circ}$}C\textit{}} & \textbf{\textit{$\boldsymbol{\varepsilon}$} при metricconverterProductID20?C20?C20$\boldsymbol{\mathrm{{}^\circ}}$C} \\ \hline | |
| ВК--1 & 75 & 2300--2500 \\ \hline | |
| ВК--2 & 75 & 2000--2500 \\ \hline | |
| ВК--3 & 25 & 10 000--20 000 \\ \hline | |
| ВК--4 & 105 & 1800--2000 \\ \hline | |
| ВК--5 & 25 & 2000--3000 \\ \hline | |
| ВК--6 & 200 & 400--500 \\ \hline | |
| \end{tabular} | |
| |
| | **Свойства сегнетокерамики для варикондов** |
| |
| | ^ Материал ^ $T_c$ ${}^{\circ}$ C ^ $\varepsilon$ при $20^{\circ}$C ^ |
| | | ВК--1 | 75 | 2300--2500 | |
| | | ВК--2 | 75 | 2000--2500 | |
| | | ВК--3 | 25 | 10 000--20 000 | |
| | | ВК--4 | 105 | 1800--2000 | |
| | | ВК--5 | 25 | 2000--3000 | |
| | | ВК--6 | 200 | 400--500 | |
| |
| Приведенные здесь сведения необходимо учитывать при интерпретации результатов измерений, так как образцы для лабораторной работы обычно изготавливаются из конденсаторной сегнетоэлектрической керамики. | Приведенные здесь сведения необходимо учитывать при интерпретации результатов измерений, так как образцы для лабораторной работы обычно изготавливаются из конденсаторной сегнетоэлектрической керамики. |
| |
| | Далее к [[lab4:lab4|описанию ]] лабораторных работ "Электрические и магнитные свойства твердых тел" |