Различия
Показаны различия между двумя версиями страницы.
Предыдущая версия справа и слева Предыдущая версия Следующая версия | Предыдущая версия | ||
lab4:теория_3 [2019/09/09 08:18] root_s |
lab4:теория_3 [2025/07/01 11:59] (текущий) |
||
---|---|---|---|
Строка 1: | Строка 1: | ||
===== Регистрация петли гистерезиса ===== | ===== Регистрация петли гистерезиса ===== | ||
- | Исследуемый образец представляет собой плоскопараллельную пластинку сегнетоэлектрической конденсаторной керамики толщиной $d$ и площадью $S$ с посеребренными плоскостями, | + | Исследуемый образец представляет собой плоскопараллельную пластинку сегнетоэлектрической конденсаторной керамики толщиной $d$ и площадью $S$ с посеребренными плоскостями, |
Классическая схема для записи петли гистерезиса (Сойер и Тауэр, 1930) показана на рисунке: | Классическая схема для записи петли гистерезиса (Сойер и Тауэр, 1930) показана на рисунке: | ||
Строка 27: | Строка 27: | ||
при частоте $f=500$ Гц. | при частоте $f=500$ Гц. | ||
- | Для того чтобы обеспечить малость амплитудных и фазовых искажений вносимых измерительной цепью должно выполняться условие $\left|Z_{Cx} \right|\ll R_{вх} $, где $R_{вх}$ --- входное | + | Для того чтобы обеспечить малость амплитудных и фазовых искажений вносимых измерительной цепью должно выполняться условие $\left|Z_{Cx} \right|\ll R_{вх} $, где $R_{вх}\approx 4 МОм$ --- сопротивление |
+ | |||
+ | /*пробника, | ||
В схеме рис. 7 сигнал $U_{x}$ ослабляется пробником в 10 раз, поэтому для отображения истинного напряжения на сегнетоэлектрическом конденсаторе в меню К1 следует установить значение параметра Probe 10X. | В схеме рис. 7 сигнал $U_{x}$ ослабляется пробником в 10 раз, поэтому для отображения истинного напряжения на сегнетоэлектрическом конденсаторе в меню К1 следует установить значение параметра Probe 10X. | ||
**Предостережение.** Максимальное напряжение на входе при использовании пробника в положении 10X для синусоидального сигнала не должно превышать 300 В (среднеквадратичное значение) и 150 В в положении пробника 1X. Превышение этих значений может привести к повреждению осциллографа. | **Предостережение.** Максимальное напряжение на входе при использовании пробника в положении 10X для синусоидального сигнала не должно превышать 300 В (среднеквадратичное значение) и 150 В в положении пробника 1X. Превышение этих значений может привести к повреждению осциллографа. | ||
+ | */ | ||
===== Измерение температуры ===== | ===== Измерение температуры ===== | ||
- | При исследовании зависимости свойств сегнетоэлектрика от температуры схема | + | При исследовании зависимости свойств сегнетоэлектрика от температуры схема дополняется устройством для подогрева образца и измерения его температуры. Образец нагревается в печке, представляющей собой проволочное сопротивление, |
===== Библиографический список ===== | ===== Библиографический список ===== | ||
- | - Киттель Ч., Введение в физику твердого тела. М.: Наука, 1978. | + | - [[https:// |
- | - Фейнмановские лекции по физике, | + | - [[https:// |
- | - Иона Ф., Ширане Д., Сегнетоэлектрические | + | - [[https:// |
- | - Желудев И. С., Электрические кристаллы. М.: Наука, 1969. | + | - [[https:// |
- | - Сивухин Д. В., | + | - [[https:// |
- | - физических измерений | + | - [[https:// |
- | - Таблицы физических величин / Под | + | - [[https:// |
+ | - [[https:// | ||
- | Далее к [[: | + | Назад к [[lab4: |