lab4:эксперимент41

Различия

Показаны различия между двумя версиями страницы.

Ссылка на это сравнение

Следующая версия 		Предыдущая версия
lab4:эксперимент41 [2019/04/06 10:24]
root_s создано 		lab4:эксперимент41 [2025/07/01 11:59] (текущий)
Строка 1: Строка 1:
-Измерение проводимости полупроводника при комнатной температуре }+Измерение проводимости полупроводника при комнатной температуре
  
 Схема установки для определения проводимости полупроводника при комнатной температуре показана на рисунке Схема установки для определения проводимости полупроводника при комнатной температуре показана на рисунке
Строка 6: Строка 6:
  
 При протекании в цепи образца тока $I$ на сопротивлении $R$ происходит падение напряжения, пропорциональное току $U=I\cdot R$, которое подается в канал $I$ блока регистрации. Разность потенциалов между контактами (3, 4) образца  подается  в канал $U$.  Получив вольт-амперную характеристику, зная геометрические размеры образца и его сопротивление, можно по формуле $j=\sigma E$ рассчитать проводимость полупроводника. При протекании в цепи образца тока $I$ на сопротивлении $R$ происходит падение напряжения, пропорциональное току $U=I\cdot R$, которое подается в канал $I$ блока регистрации. Разность потенциалов между контактами (3, 4) образца  подается  в канал $U$.  Получив вольт-амперную характеристику, зная геометрические размеры образца и его сопротивление, можно по формуле $j=\sigma E$ рассчитать проводимость полупроводника.
 +
 +Назад к описанию [[:lab4:oборудование41|оборудования и образца]] или далее к [[:lab4:контрольные_вопросы41|контрольным вопросам и заданию]]