Различия

Показаны различия между двумя версиями страницы.

--- lab4:элементы_зонной_теории [2019/04/03 21:57]
root_s
+++ lab4:элементы_зонной_теории [2019/09/13 12:37] (текущий)
root_s
@@ Строка 8: / Строка 8: @@
 имеют минимальную энергию связи с ядром, которая обозначена
 как основной уровень $E_0$ на рисунке
-{{ :lab4:42.png?400 |Энергетический
+{{ :lab4:42.png?300 |Энергетический
 спектр свободного атома}}
 Под этим уровнем расположены заполненные уровни внутренних оболочек атома $E_k$. Над уровнем $E_0$
@@ Строка 23: / Строка 23: @@
 орбит образуются коллективные, и подоболочки отдельных атомов
 превращаются в сплошные полосы, называемые //зонами//. На рисунке
-{{ :lab4:43.png?400 |Образование энергетических зон в кристалле из энергетических уровней атомов при их сближении:
+{{ :lab4:43.png?500 |Образование энергетических зон в кристалле из энергетических уровней атомов при их сближении:
 d - расстояние между соседними атомами; d_0 - равновесное расстояние между соседними атомами в кристалле}}
 представлена зависимость энергетического спектра электрона
@@ Строка 30: / Строка 30: @@
 как уровни смещаются и расширяются по мере сближения атомов.
 Так как расстояние между атомами в твердом теле не является произвольным, а имеет вполне определенную для данного вещества
+величину $d_0$, то естественно рассматривать структуру зон именно
+для этого расстояния между атомами.
+Таким образом, строго определенные значения энергии, соответствующие отдельным уровням в изолированном атоме, заменяются
+в кристалле целым интервалом энергий – это означает, что энергетические уровни атомов в кристалле под влиянием взаимодействия
+объединяются в зоны. Число электронов, которые могут разместиться в данной зоне, равно общему числу мест на уровнях изолированных атомов, из которых она образовалась. Так как внутренние оболочки в изолированных атомах целиком заполнены, то эти же условия должны сохраняться в соответствующих зонах кристалла. Отсюда следует, что электроны внутренних оболочек не могут переносить электрический ток. Иначе может обстоять дело в самой верхней
+зоне, образовавшейся из уровней, на которых располагались валентные электроны; электропроводность кристаллов в основном и определяется степенью заполнения валентной зоны и ее расстоянием до следующей пустой зоны. Рассмотрим случаи, которые определяют
+разделение твердых тел на диэлектрики, полупроводники и металлы
+исходя из строения зонной структуры кристаллов.
+**Валентная зона заполнена целиком, имеется запрещенная зона
+энергий до следующей пустой зоны --- полупроводники, диэлектрики.** Наличие определенной
+энергии возбуждения в идеальном
+беспримесном
+полупроводнике
+можно изобразить с помощью энергетической диаграммы:
+{{ :lab4:44.png?200 |Зонная энергетическая диаграмма для внешних (валентных) электронов полупроводников и диэлектриков}}
+где
+по вертикали снизу вверх отложены
+значения полной энергии электронов в кристалле. Нижняя заштрихованная полоса, или зона энергий,
+содержит различные уровни энергии валентных электронов, связанных с решеткой и неучаствующих в
+Наивысшая
+электропроводности.
+возможная энергия связанных электронов изображается верхним краем //валентной зоны// $E_v$. Верхняя
+зона (зона проводимости) содержит различные возможные значения
+энергии электронных уровней, или электронов проводимости, обусловливающих электропроводность. Наинизшее значение их полной
+энергии изображается нижним краем зоны проводимости $E_c$. В этой
+зоне электрон приобретает возможность изменять свою энергию под
+действием сил электрического поля, т. е. в зоне проводимости электрон становится свободным носителем заряда. Наименьшая энергия,
+необходимая для возбуждения электрона из валентной зоны в зону
+проводимости, равна $E_g=E_c- E_v$. Промежуточные значения энергии, лежащие между $E_c$ и $E_v$, не соответствуют никаким возможным состояниям электрона --- //запрещенная зона// энергий. Энергия
+возбуждения (минимальная энергия, необходимая для перехода
+электрона из заполненной зоны в пустую) составляет от нескольких
+сотых до нескольких электронвольт для полупроводников и свыше 3 эВ для изоляторов.
+Полупроводники при низких температурах имеют большое
+удельное сопротивление и практически являются изоляторами. На
+языке зонной структуры это означает, что все энергетические уровни в валентной зоне заполнены, а в зоне проводимости соответственно пусты. При этом низкие температуры означают $E_g \gg kT.$
+При повышении температуры энергия валентных электронов увеличивается и часть электронов, получивших энергию $\ge E_g$, переходят
+в зону проводимости. На энергетической диаграмме (предыдущий рисунок) такой процесс может быть представлен как переход электрона из связанного состояния в валентной зоне в свободное состояние в зоне
+проводимости через энергетический барьер $E_g$. Образовавшиеся
+при этом "вакантные" места c недостающими электронами получили название дырок. Переход электрона в зону проводимости может
+быть вызван также поглощением кристаллом фотона с энергией
+$h\nu \ge E_g$ или взаимодействием полупроводника, например, с электронным пучком.
+Металлы также имеют зонную структуру. Основное отличие зонной структуры металлов заключается в том, что у металлов валентная зона заполнена частично либо перекрывается со следующей свободной зоной. Поэтому в металлах энергия возбуждения равна
+нулю и металлы проводят ток даже при $Т = 0$ К.
+Как отмечалось ранее, движение электронов в кристалле происходит в периодическом потенциале атомных остовов. Оказывается,
+что в первом приближении поведение частиц можно описать аналогично их движению в свободном пространстве с той лишь разницей,
+что в кинетическую энергию частицы $E(p)=\frac{p^2}{2m^*}$ входит эффективная масса электрона, которая отличается от массы свободного электрона вследствие взаимодействия частицы с периодическим
+потенциалом кристалла. Эффективную массу частицы $m^*$ обычно
+выражают в единицах массы свободного электрона. Эффективные
+массы электронов ($m_n^*$) и дырок ($m^*_p$) некоторых полупроводников
+приведены выше в таблице 1.
+Таблица 1
+Полупроводниковые материалы
+^ Кристалл ^ $E_g$, эВ при 300 К ^ $\frac{m_n^*}{m_0}$ ^ $\frac{m_p^*}{m_0}$ ^ Подвижность электронов, $\frac{см^2}{В с}$ ^ Подвижность дырок, $\frac{см^2}{В\cdot с}$ ^ $\sigma_I$ (Ом\cdot см)$^{-1}$ ^
+| Кремний (Si) | 1,14 | 0,26 | 0,49 | 1300 | 500 | $5\cdot 10^{-6}$ |
+| Германий (Ge) | 0,67 | 0,12 | 0,3 | 3900 | 1900 | $2\cdot 10^{-2}$ |
+| Антимонид индия (InSb) | 0,18 | 0,013 | 0,5 | 77000 | 750 | $2\cdot 10^{-2}$ |
+Назад  [[:lab4:классификация_твердых_тел|Классификация твердых тел: металлы, полупроводники, диэлектрики]], далее [[:lab4:проводимость|Примесная и собственная проводимость полупроводников]]