| Предыдущая версия справа и слева
Предыдущая версия
Следующая версия
|
Предыдущая версия
|
lab4:lab4 [2019/04/18 14:08]
root_s [Магнитные свойства твердых тел] |
lab4:lab4 [2022/09/01 10:39] (текущий)
root [Лаб. № 4.5. - Изучение магнитной восприимчивости гадолиния вблизи точки Кюри] |
| ===== Электрические и магнитные свойства твердых тел ===== | ===== Электрические и магнитные свойства твердых тел ===== |
| |
| ==== Проводимость твердых тел ==== | |
| |
| * [[:lab4:классификация_твердых_тел|Классификация твердых тел: металлы, полупроводники, диэлектрики]] | ==== Лаб. № 4.1. - Определение ширины запрещенной зоны полупроводника ==== |
| * [[:lab4:элементы_зонной_теории|Элементы зонной теории твердого тела]] | |
| * [[:lab4:проводимость|Примесная и собственная проводимость полупроводников]] | |
| * [[:lab4:подвижность|Подвижность и коэффициент диффузии носителей заряда в полупроводниках]] | |
| * [[:lab4:движение_носителей|Движение носителей заряда в полупроводниках, помещенных в магнитное поле. Эффект Холла]] | |
| * [[:lab4:приложение_41|Приложение 1. Эффект Холла в сильном магнитном поле (для дополнительного чтения)]] | |
| * [[:lab4:приложение_42|Приложение 2. Собственная концентрация электронов]] | |
| | |
| | |
| === Лаб. № 4.1. - Определение ширины запрещенной зоны полупроводника === | |
| |
| Выполняемый в данной работе эксперимент состоит из двух частей. В первой записывается вольт-амперная характеристика образца, из которой определяется проводимость исследуемого полупроводника при комнатной температуре. Во второй части изучается температурная зависимость проводимости, из которой можно рассчитать ширину запрещенной зоны, концентрацию носителей и их подвижность | Выполняемый в данной работе эксперимент состоит из двух частей. В первой записывается вольт-амперная характеристика образца, из которой определяется проводимость исследуемого полупроводника при комнатной температуре. Во второй части изучается температурная зависимость проводимости, из которой можно рассчитать ширину запрещенной зоны, концентрацию носителей и их подвижность |
| |
| | * [[:lab4:теория41|Теория]] |
| * [[:lab4:oборудование41|Оборудование и образец]] | * [[:lab4:oборудование41|Оборудование и образец]] |
| * [[:lab4:эксперимент41|Измерение проводимости полупроводника при комнатной температуре]] | * [[:lab4:эксперимент41|Измерение проводимости полупроводника при комнатной температуре]] |
| |
| |
| === Лаб. № 4.2. - Движение носителей заряда в полупроводниках, помещенных в магнитное поле. Эффект Холла === | ==== Лаб. № 4.2. - Движение носителей заряда в полупроводниках, помещенных в магнитное поле. Эффект Холла ==== |
| |
| **Цель работы:** изучить движение носителей заряда в полупроводнике, помещенном в магнитное поле. Определить тип проводимости, концентрацию и подвижность носителей заряда. | **Цель работы:** изучить движение носителей заряда в полупроводнике, помещенном в магнитное поле. Определить тип проводимости, концентрацию и подвижность носителей заряда. |
| |
| * [[:lab4:теория_42|Краткая теория]] | * [[:lab4:теория_42|Теория]] |
| * [[:lab4:оборудование42|Оборудование и образец]] | * [[:lab4:оборудование42|Экспериментальная установка]] |
| * [[:lab4:контрольные_вопросы42|Контрольные вопросы и задания]] | * [[:lab4:контрольные_вопросы42|Допуск к эксперименту]] |
| | * [[:lab4:эксперимент42|Эксперимент]] |
| |
| ==== Сегнетоэлектричество ==== | ==== Лаб. № 4.3. - Изучение свойств сегнетоэлектрика ==== |
| |
| * [[:lab4:обозначения|Основные обозначения]] | **Цель работы:** изучение зависимости спонтанной поляризации и диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрика от температуры и измерение характеристических параметров образца из сегнетоэлектрической керамики. |
| * [[:lab4:свойства|Основные свойства и характеристические параметры сегнетоэлектриков]] | |
| * [[:lab4:Классификация|Классификация сегнетоэлектрических кристаллов по типу фазового перехода]] | |
| * [[:lab4:Условие перехода|Условие перехода сегнетоэлектрика типа "смещение" в полярное состояние]] | |
| * [[:lab4:Поведение вблизи фазового перехода|Поведение спонтанной поляризации и диэлектрической проницаемости вблизи точки фазового перехода]] | |
| * [[:lab4:Домены и гистерезис|Домены и гистерезис зависимости поляризации от напряженности электрического поля]] | |
| * [[:lab4:Сегнетоэлектрические керамики|Сегнетоэлектрические керамики]] | |
| === Лаб. № 4.3. - Изучение свойств сегнетоэлектрика === | |
| | |
| **Цель работы:** изучение зависимости спонтанной поляризации и диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрика от температу-ры и измерение характеристических параметров образца из сегнетоэлектрической керамики. | |
| |
| | * [[:lab4:теория_43|Теория]] |
| * [[:lab4:теория_3|Описание]] | * [[:lab4:теория_3|Описание]] |
| * [[:lab4:эксперимент3|Задания]] | * [[:lab4:эксперимент3|Задания]] |
| * [[:lab4:контрольные_вопросы3|Контрольные вопросы и содержание отчета]] | * [[:lab4:контрольные_вопросы3|Контрольные вопросы и содержание отчета]] |
| |
| ==== Магнитные свойства твердых тел ==== | |
| |
| * [[:lab4:обозначения2|Основные обозначения]] | |
| * [[:lab4:Магнетизм микрочастиц|Магнетизм микрочастиц и атомов]] | |
| * [[:lab4:Магнитное поле в веществе|Магнитное поле в веществе]] | |
| * [[:lab4:Классификация магнетиков|Классификация магнетиков]] | |
| * [[:lab4:Поведение спонтанной намагниченности|Поведение спонтанной намагниченности и магнитной восприимчивости при фазовых переходах]] | |
| * [[:lab4:Приложение|Приложение]] | |
| |
| | ==== Лаб. № 4.4. - Изучение свойств магнитоупорядоченных веществ ==== |
| === Лаб. № 4.4. - Изучение свойств магнитоупорядоченных веществ === | |
| |
| **Цель работы:** изучение процессов намагничивания и перемагничивания ферромагнетиков и ферритов, определение основных характеристик этих материалов (коэрцитивного поля, остаточной намагниченности, магнитной проницаемости, потери на перемагничивание) и их сравнение. | **Цель работы:** изучение процессов намагничивания и перемагничивания ферромагнетиков и ферритов, определение основных характеристик этих материалов (коэрцитивного поля, остаточной намагниченности, магнитной проницаемости, потери на перемагничивание) и их сравнение. |
| |
| | * [[:lab4:теория44|Теория]] |
| * [[:lab4:Экспериментальная установка|Экспериментальная установка и методика измерений]] | * [[:lab4:Экспериментальная установка|Экспериментальная установка и методика измерений]] |
| * [[:lab4:Регистрация петли гистерезиса|Регистрация петли гистерезиса]] | * [[:lab4:Регистрация петли гистерезиса|Регистрация петли гистерезиса]] |
| * [[:lab4:контрольные_вопросы44|Контрольные вопросы и задания]] | * [[:lab4:контрольные_вопросы44|Контрольные вопросы и задания]] |
| |
| https://youtu.be/l8utA_OJYxM | Видео инструкция выполнения работы: |
| | {{youtube>l8utA_OJYxM?medium}} |
| |
| === Лаб. № 4.5. - Изучение магнитной восприимчивости гадолиния вблизи точки Кюри === | ==== Лаб. № 4.5. - Изучение магнитной восприимчивости гадолиния вблизи точки Кюри ==== |
| |
| **Цель работы:** понять суть метода дифференциального трансформатора, получить температурную зависимость магнитной вос-приимчивости, определить температуру Кюри и критический индекс магнитной восприимчивости. | **Цель работы:** понять суть метода дифференциального трансформатора, получить температурную зависимость магнитной восприимчивости, определить температуру Кюри и критический индекс магнитной восприимчивости. |
| |
| * [[:lab4:Краткая теория 5|Краткая теория]] | * [[:lab4:Краткая теория 5|Краткая теория]] |
| * [[:lab4:Эксперимент|Эксперимент]] | * [[:lab4:Эксперимент|Описание установки]] |
| | * [[lab4:эксперимент45|Краткое руководство по выполнению работы]] |
| | * [[lab4:обработка45|Обработка эксперимента]] |
| * [[:lab4:литература45|Литература]] | * [[:lab4:литература45|Литература]] |
| ==== Литература ==== | ==== Литература по разделу ==== |
| |
| [[:lab3:литература3|Список литературы]] | [[:lab3:литература3|Список литературы]] |
| |
| |