| Предыдущая версия справа и слева
Предыдущая версия
Следующая версия
|
Предыдущая версия
|
lab6:эксперимент61-new [2024/08/14 14:03]
root |
lab6:эксперимент61-new [2024/08/14 14:21] (текущий)
root |
| * Для удобного определения **амплитуды сигналов** и **разности фаз** между сигналами $U_R$ и $U$ на осциллографе GDS--71054B добавьте соответствующие измерения. Для этого нажмите кнопку **Измерения**, подменю **добавить измерение**, в котором выберите для подключенных каналов, измерение параметра **пик--пик** (показывающий полный размах сигнала). Затем, выбрав каналы, между которыми вы хотите измерить **разность фаз**, добавьте соответствующее измерение. Возможно, измерения ранее уже были активированы и они остались в памяти осциллографа. Если активированы лишние измерения, то их можно удалить выбрав пункт в подменю **удалить измерение.** ОБРАТИТЕ ВНИМАНИЕ, что при измерении **пик--пик** на точность измерения сильно влияет зашумлённость сигнала. Если сигнал слабый, но шумный, то измеряться будет именно **шум**. Для исключения этого можно: 1) включить **усреднение измерений**, 2) мерить сигнал при помощи **курсорных измерений**. | * Для удобного определения **амплитуды сигналов** и **разности фаз** между сигналами $U_R$ и $U$ на осциллографе GDS--71054B добавьте соответствующие измерения. Для этого нажмите кнопку **Измерения**, подменю **добавить измерение**, в котором выберите для подключенных каналов, измерение параметра **пик--пик** (показывающий полный размах сигнала). Затем, выбрав каналы, между которыми вы хотите измерить **разность фаз**, добавьте соответствующее измерение. Возможно, измерения ранее уже были активированы и они остались в памяти осциллографа. Если активированы лишние измерения, то их можно удалить выбрав пункт в подменю **удалить измерение.** ОБРАТИТЕ ВНИМАНИЕ, что при измерении **пик--пик** на точность измерения сильно влияет зашумлённость сигнала. Если сигнал слабый, но шумный, то измеряться будет именно **шум**. Для исключения этого можно: 1) включить **усреднение измерений**, 2) мерить сигнал при помощи **курсорных измерений**. |
| * Определите частотный диапазон датчиков, ограниченный шумами, наводками и чувствительностью датчика, проведя измерения без образцов, в пределах от 100 Гц до 100 кГц. | * Определите частотный диапазон датчиков, ограниченный шумами, наводками и чувствительностью датчика, проведя измерения без образцов, в пределах от 100 Гц до 100 кГц. |
| * Изменяя частоту генератора $f$ в пределах от 100 Гц до 40 кГц для значений частоты, например, $1\cdot n$ Гц; $2\cdot n$ Гц и $4\cdot n$ Гц, где $n=100,1\, 000,10\, 000$, проведите измерения без образца $(U_0 \sim H_0)$ и с разными образцами $(U_i\sim H_i$, где $i$ --- номера образцов$)$ и датчиками, в зависимости от их частотного диапазона. Измеренные величины сигналов $U_{R_i},$ $U_i$ и разности фаз $\varphi _i$ между ними запишите в **таблицу отчета** | * Изменяя частоту генератора $f$ в пределах от 100 Гц до 40 кГц для значений частоты, например, $1\cdot n$ Гц; $2\cdot n$ Гц и $4\cdot n$ Гц, где $n=100,1\, 000,10\, 000$, проведите измерения без образца $(U_0 \sim H_0)$ и с разными образцами $(U_i\sim H_i$, где $i$ --- номера образцов$)$ и датчиками, в зависимости от их частотного диапазона. Измеренные величины сигналов $U_R^i,$ $U_i$ и разности фаз $\varphi _i$ между ними запишите в **таблицу отчета** |
| |
| ^ $f$ ^ $U_R$ ^ $U_0$ ^ $\varphi _0$ ^ $U_1$ ^ $\varphi _1$ ^ $\ldots$ ^ $U_n$ ^ $\varphi _n$ ^ | ^ $f$ ^ $U_R^0$ ^ $U_0$ ^ $\varphi _0$ ^ $U_R^1$ ^ $U_1$ ^ $ \xi_1$ ^ $\varphi _1$ ^ $\Delta \varphi _1$ ^ $\ldots$ ^ |
| | | | | | | | | | | | | 100 | | | | | | | | | | |
| | | | | | | | | | | | | $\vdots $ | | | | | | | | | | |
| |
| * Вычислите отношение $\xi_i =\left|\frac{H_{i}}{H_{0}}\right|$ амплитуды магнитного поля и разности фаз $\Delta \varphi _i=\varphi _i-\varphi _0.$ Постройте графики зависимости $ \xi_i(f)$ и $\Delta \varphi _i(f).$ На каждой кривой отметьте точку, для которой теоретическое значение толщины скин--слоя равно толщине стенки экрана: $\delta=h.$ Наложите на графики теоретическую зависимость для слабого и сильного скин--эффекта. | * Вычислите отношение $\xi_i =\left|\frac{H_{i}}{H_{0}}\right|$ амплитуды магнитного поля и разности фаз $\Delta \varphi _i=\varphi _i-\varphi _0.$ Постройте графики зависимости $ \xi_i(f)$ и $\Delta \varphi _i(f).$ На каждой кривой отметьте точку, для которой теоретическое значение толщины скин--слоя равно толщине стенки экрана: $\delta=h.$ Наложите на графики теоретическую зависимость для слабого и сильного скин--эффекта. |
| * Постройте тот же самый график в координатах $\xi _i$ и $\chi_i=\chi(\frac{\sqrt{hR}}{\delta})$. Укажите, при каких значениях параметра подобия начинается эффективное экранирование. Придумайте, как, используя этот график, определить удельное сопротивление трубки из материала с неизвестными параметрами. | * Постройте те же графики $ \xi_i$ и $\Delta \varphi _i$ в зависимости от $\chi=fhR$. Укажите, при каких значениях параметра подобия $\frac{\sqrt{hR}}{\delta}$ начинается эффективное экранирование. Придумайте, как, используя этот график, определить удельное сопротивление трубки из материала с неизвестными параметрами. |
| * Сравните толщину скин--слоя, полученную из отношения амплитуд и разности фаз на $\Delta \varphi = \pi$. Для измерения разности фаз $\Delta \varphi = \pi$ можно воспользоваться схемой с двумя подключенными катушками и двумя датчиками, переведя измерение в режим **X--Y** | * Сравните толщину скин--слоя, полученную из отношения амплитуд и разности фаз на $\Delta \varphi = \pi$. Для измерения разности фаз $\Delta \varphi = \pi$ можно воспользоваться схемой с двумя подключенными катушками и двумя датчиками, переведя измерение в режим **X--Y** |
| |