| Предыдущая версия справа и слева
Предыдущая версия
Следующая версия
|
Предыдущая версия
|
lab6:эксперимент61-new [2024/08/14 14:07]
root |
lab6:эксперимент61-new [2024/08/14 14:21] (текущий)
root |
| * Изменяя частоту генератора $f$ в пределах от 100 Гц до 40 кГц для значений частоты, например, $1\cdot n$ Гц; $2\cdot n$ Гц и $4\cdot n$ Гц, где $n=100,1\, 000,10\, 000$, проведите измерения без образца $(U_0 \sim H_0)$ и с разными образцами $(U_i\sim H_i$, где $i$ --- номера образцов$)$ и датчиками, в зависимости от их частотного диапазона. Измеренные величины сигналов $U_R^i,$ $U_i$ и разности фаз $\varphi _i$ между ними запишите в **таблицу отчета** | * Изменяя частоту генератора $f$ в пределах от 100 Гц до 40 кГц для значений частоты, например, $1\cdot n$ Гц; $2\cdot n$ Гц и $4\cdot n$ Гц, где $n=100,1\, 000,10\, 000$, проведите измерения без образца $(U_0 \sim H_0)$ и с разными образцами $(U_i\sim H_i$, где $i$ --- номера образцов$)$ и датчиками, в зависимости от их частотного диапазона. Измеренные величины сигналов $U_R^i,$ $U_i$ и разности фаз $\varphi _i$ между ними запишите в **таблицу отчета** |
| |
| ^ $f$ ^ $U_R^0$ ^ $U_0$ ^ $\varphi _0$ ^ $U_R^1$ ^ $U_1$ ^ $ \xi_i$ ^ $\varphi _1$ ^ $\Delta \varphi _1$ ^ $\ldots$ ^ | ^ $f$ ^ $U_R^0$ ^ $U_0$ ^ $\varphi _0$ ^ $U_R^1$ ^ $U_1$ ^ $ \xi_1$ ^ $\varphi _1$ ^ $\Delta \varphi _1$ ^ $\ldots$ ^ |
| | 100 | | | | | | | | | | | | 100 | | | | | | | | | | |
| | $\Vdots$ | | | | | | | | | | | | $\vdots $ | | | | | | | | | | |
| |
| * Вычислите отношение $\xi_i =\left|\frac{H_{i}}{H_{0}}\right|$ амплитуды магнитного поля и разности фаз $\Delta \varphi _i=\varphi _i-\varphi _0.$ Постройте графики зависимости $ \xi_i(f)$ и $\Delta \varphi _i(f).$ На каждой кривой отметьте точку, для которой теоретическое значение толщины скин--слоя равно толщине стенки экрана: $\delta=h.$ Наложите на графики теоретическую зависимость для слабого и сильного скин--эффекта. | * Вычислите отношение $\xi_i =\left|\frac{H_{i}}{H_{0}}\right|$ амплитуды магнитного поля и разности фаз $\Delta \varphi _i=\varphi _i-\varphi _0.$ Постройте графики зависимости $ \xi_i(f)$ и $\Delta \varphi _i(f).$ На каждой кривой отметьте точку, для которой теоретическое значение толщины скин--слоя равно толщине стенки экрана: $\delta=h.$ Наложите на графики теоретическую зависимость для слабого и сильного скин--эффекта. |
| * Постройте тот же самый график в координатах $\xi _i$ и $\chi_i=\chi(\frac{\sqrt{hR}}{\delta})$. Укажите, при каких значениях параметра подобия начинается эффективное экранирование. Придумайте, как, используя этот график, определить удельное сопротивление трубки из материала с неизвестными параметрами. | * Постройте те же графики $ \xi_i$ и $\Delta \varphi _i$ в зависимости от $\chi=fhR$. Укажите, при каких значениях параметра подобия $\frac{\sqrt{hR}}{\delta}$ начинается эффективное экранирование. Придумайте, как, используя этот график, определить удельное сопротивление трубки из материала с неизвестными параметрами. |
| * Сравните толщину скин--слоя, полученную из отношения амплитуд и разности фаз на $\Delta \varphi = \pi$. Для измерения разности фаз $\Delta \varphi = \pi$ можно воспользоваться схемой с двумя подключенными катушками и двумя датчиками, переведя измерение в режим **X--Y** | * Сравните толщину скин--слоя, полученную из отношения амплитуд и разности фаз на $\Delta \varphi = \pi$. Для измерения разности фаз $\Delta \varphi = \pi$ можно воспользоваться схемой с двумя подключенными катушками и двумя датчиками, переведя измерение в режим **X--Y** |
| |