Показать страницуИстория страницыСсылки сюдаНаверх Эта страница только для чтения. Вы можете посмотреть её исходный текст, но не можете его изменить. Сообщите администратору, если считаете, что это неправильно. Измерение проводимости полупроводника при комнатной температуре Схема установки для определения проводимости полупроводника при комнатной температуре показана на рисунке {{ :lab4:49.png?400 |Схема измерения вольт-амперной характеристики полупроводника}} и включает: исследуемый образец, генератор низкой частоты двуполярных сигналов, сопротивление R, блок регистрации, персональный компьютер ПК. При протекании в цепи образца тока $I$ на сопротивлении $R$ происходит падение напряжения, пропорциональное току $U=I\cdot R$, которое подается в канал $I$ блока регистрации. Разность потенциалов между контактами (3, 4) образца подается в канал $U$. Получив вольт-амперную характеристику, зная геометрические размеры образца и его сопротивление, можно по формуле $j=\sigma E$ рассчитать проводимость полупроводника. Назад к описанию [[:lab4:oборудование41|оборудования и образца]] или далее к [[:lab4:контрольные_вопросы41|контрольным вопросам и заданию]]