Измерение проводимости полупроводника при комнатной температуре

Схема установки для определения проводимости полупроводника при комнатной температуре показана на рисунке
{{ :lab4:49.png?400 |Схема измерения вольт-амперной характеристики полупроводника}}
и включает: исследуемый образец, генератор низкой частоты двуполярных сигналов, сопротивление R, блок регистрации, персональный компьютер ПК.

При протекании в цепи образца тока $I$ на сопротивлении $R$ происходит падение напряжения, пропорциональное току $U=I\cdot R$, которое подается в канал $I$ блока регистрации. Разность потенциалов между контактами (3, 4) образца  подается  в канал $U$.  Получив вольт-амперную характеристику, зная геометрические размеры образца и его сопротивление, можно по формуле $j=\sigma E$ рассчитать проводимость полупроводника.

Назад к описанию [[:lab4:oборудование41|оборудования и образца]] или далее к [[:lab4:контрольные_вопросы41|контрольным вопросам и заданию]]