Различия
Показаны различия между двумя версиями страницы.
Предыдущая версия справа и слева Предыдущая версия Следующая версия | Предыдущая версия | ||
lab2:теория24 [2021/07/13 11:10] root |
lab2:теория24 [2021/08/31 10:28] (текущий) root |
||
---|---|---|---|
Строка 10: | Строка 10: | ||
хаотические отклонения $\Delta I$ от среднего значения I; очевидно, | хаотические отклонения $\Delta I$ от среднего значения I; очевидно, | ||
что их величина должна зависеть от заряда электрона. Эти флуктуации | что их величина должна зависеть от заряда электрона. Эти флуктуации | ||
- | называются дробовым шумом | + | называются дробовым шумом |
шумом при падении дробинок на какую-нибудь поверхность и характерному | шумом при падении дробинок на какую-нибудь поверхность и характерному | ||
проявлению этого шума в электронных акустических системах. | проявлению этого шума в электронных акустических системах. | ||
Строка 47: | Строка 47: | ||
$$ | $$ | ||
где $e$ --- заряд электрона; | где $e$ --- заряд электрона; | ||
- | измеряются флуктуации тока (угловые | + | измеряются флуктуации тока (где черта над |
усреднение по времени). Если нагрузкой диода служит сопротивление | усреднение по времени). Если нагрузкой диода служит сопротивление | ||
$Z$ (в общем случае --- комплексное), | $Z$ (в общем случае --- комплексное), | ||
напряжения на нем равен: | напряжения на нем равен: | ||
$$ | $$ | ||
- | (*) \, | + | \overline{\Delta U_{\text{др}}^2}=2eI\left|Z\right|^{2}\Delta f, |
$$ | $$ | ||
где $\left|Z\right|$ --- модуль комплексного сопротивления. | где $\left|Z\right|$ --- модуль комплексного сопротивления. | ||
Строка 65: | Строка 65: | ||
$Q$ --- добротность контура. Однако этот момент не является определяющим, | $Q$ --- добротность контура. Однако этот момент не является определяющим, | ||
так как диод в режиме насыщения фактически работает в режиме генератора | так как диод в режиме насыщения фактически работает в режиме генератора | ||
- | тока (отражением этого обстоятельства является формула (*)) | + | тока (отражением этого обстоятельства является формула (1)) |
и напряжение можно увеличить, | и напряжение можно увеличить, | ||
Более существенным является резонансный вид зависимости $\left|Z\right|^{2}$ | Более существенным является резонансный вид зависимости $\left|Z\right|^{2}$ | ||
для колебательного контура и возможность ее аналитического интегрирования. | для колебательного контура и возможность ее аналитического интегрирования. | ||
- | Так, для LCR --- контура, | + | Так, для LCR --- контура, |
+ | {{ :lab2:pic11.png?500 |}} | ||
+ | зависимость комплексного | ||
сопротивления от частоты имеет вид | сопротивления от частоты имеет вид | ||
$$ | $$ | ||
Строка 76: | Строка 78: | ||
Если такой контур служит нагрузкой вакуумного диода, напряжение шумов на нем равно: | Если такой контур служит нагрузкой вакуумного диода, напряжение шумов на нем равно: | ||
$$ | $$ | ||
- | (**) \, | + | \overline{ \Delta U_{\text{др}}^2} =2eI\int_{0}^{\infty}\left|Z(f)\right|^{2}df=\frac{2eI}{2\pi}\int_{0}^{\infty}\left|Z(\omega)\right|^{2}d\omega.\label{eq: |
$$ | $$ | ||
- | {{ : | + | |
Когда добротность контура $Q$ велика $Q=\frac{\omega_{0}L}{R}=\frac{1}{\omega_{0}CR}\gg1, | Когда добротность контура $Q$ велика $Q=\frac{\omega_{0}L}{R}=\frac{1}{\omega_{0}CR}\gg1, | ||
где $\omega_{0}\approx\frac{1}{\sqrt{LC}}$ --- резонансная частота, | где $\omega_{0}\approx\frac{1}{\sqrt{LC}}$ --- резонансная частота, | ||
- | из выражения (**) можно получить | + | из выражения (2) можно получить |
$$ | $$ | ||
- | e=\frac{2\omega_{0}C^{2}\left\langle | + | e=\frac{2\omega_{0}C^{2}\overline{ |
$$ | $$ | ||
Это выражение используется для определения заряда электрона. | Это выражение используется для определения заряда электрона. | ||
- | |||
Назад к [[lab2: | Назад к [[lab2: | ||