lab2:теория24

Различия

Показаны различия между двумя версиями страницы.

Ссылка на это сравнение

Предыдущая версия справа и слева Предыдущая версия
Следующая версия 		Предыдущая версия
lab2:теория24 [2021/07/19 10:11]
root 		lab2:теория24 [2021/08/31 10:28] (текущий)
root
Строка 52: Строка 52:
 напряжения на нем равен:  напряжения на нем равен: 
 $$ $$
-(*) \,\,\,\, \overline{\Delta U_{\text{др}}^2}=2eI\left|Z\right|^{2}\Delta f,\label{eq:17}+\overline{\Delta U_{\text{др}}^2}=2eI\left|Z\right|^{2}\Delta f,\label{eq:17} \,\,\,\,\,\,\,\, {(1)}
 $$ $$
 где $\left|Z\right|$ --- модуль комплексного сопротивления.  где $\left|Z\right|$ --- модуль комплексного сопротивления. 
Строка 65: Строка 65:
 $Q$ --- добротность контура. Однако этот момент не является определяющим, $Q$ --- добротность контура. Однако этот момент не является определяющим,
 так как диод в режиме насыщения фактически работает в режиме генератора так как диод в режиме насыщения фактически работает в режиме генератора
-тока (отражением этого обстоятельства является формула (*))+тока (отражением этого обстоятельства является формула (1))
 и напряжение можно увеличить, используя любое большое сопротивление. и напряжение можно увеличить, используя любое большое сопротивление.
 Более существенным является резонансный вид зависимости $\left|Z\right|^{2}$ Более существенным является резонансный вид зависимости $\left|Z\right|^{2}$
 для колебательного контура и возможность ее аналитического интегрирования. для колебательного контура и возможность ее аналитического интегрирования.
-Так, для LCR --- контура, изображенного на рис. 11, зависимость комплексного+Так, для LCR --- контура, изображенного на рисунке: 
 +{{ :lab2:pic11.png?500 |}} 
 +зависимость комплексного
 сопротивления от частоты имеет вид  сопротивления от частоты имеет вид 
 $$ $$
Строка 76: Строка 78:
 Если такой контур служит нагрузкой вакуумного диода, напряжение шумов на нем равно:  Если такой контур служит нагрузкой вакуумного диода, напряжение шумов на нем равно: 
 $$ $$
-(**) \,\,\,\, \overline{ \Delta U_{\text{др}}^2} =2eI\int_{0}^{\infty}\left|Z(f)\right|^{2}df=\frac{2eI}{2\pi}\int_{0}^{\infty}\left|Z(\omega)\right|^{2}d\omega.\label{eq:19}+\overline{ \Delta U_{\text{др}}^2} =2eI\int_{0}^{\infty}\left|Z(f)\right|^{2}df=\frac{2eI}{2\pi}\int_{0}^{\infty}\left|Z(\omega)\right|^{2}d\omega.\label{eq:19} \,\,\,\,\,\,\,{(2)}
 $$ $$
  
-{{ :lab2:pic11.png?500 |}}+
  
 Когда добротность контура $Q$ велика $Q=\frac{\omega_{0}L}{R}=\frac{1}{\omega_{0}CR}\gg1,$ Когда добротность контура $Q$ велика $Q=\frac{\omega_{0}L}{R}=\frac{1}{\omega_{0}CR}\gg1,$
 где $\omega_{0}\approx\frac{1}{\sqrt{LC}}$ --- резонансная частота, где $\omega_{0}\approx\frac{1}{\sqrt{LC}}$ --- резонансная частота,
-из выражения (**) можно получить +из выражения (2) можно получить 
 $$ $$
 e=\frac{2\omega_{0}C^{2}\overline{ U_{\text{др}}^{2}} }{IQ}.\label{eq:20} e=\frac{2\omega_{0}C^{2}\overline{ U_{\text{др}}^{2}} }{IQ}.\label{eq:20}
Строка 90: Строка 92:
  
 Это выражение используется для определения заряда электрона. Это выражение используется для определения заряда электрона.
- 
 Назад к [[lab2:lab2|описанию ]] лабораторных работ "Физические явления в вакуумном диоде" или далее к [[идея24|идеи эксперимента и его рабочей схемы]] Назад к [[lab2:lab2|описанию ]] лабораторных работ "Физические явления в вакуумном диоде" или далее к [[идея24|идеи эксперимента и его рабочей схемы]]