| Предыдущая версия справа и слева
Предыдущая версия
Следующая версия
|
Предыдущая версия
|
lab4:домены_и_гистерезис [2019/04/07 19:51]
root_s |
lab4:домены_и_гистерезис [2019/04/07 19:56] (текущий)
root_s |
| P(E)=P_{s} +\chi E, | P(E)=P_{s} +\chi E, |
| $$ | $$ |
| где $P_{i} =\chi E$ --- индуцированная поляризация, а $\chi$ --- диэлектрическая восприимчивость, до пересечения с осью ординат дает величину спонтанной поляризации образца $P_{s}$. При уменьшении поля и дальнейшем увеличении обратного поля изменение $P(E)$ идет по кривой bdfg, лежащей выше начального участка кривой, так как смещение доменных границ и рост новых доменов задерживается. При полном цикле изменения поля в прямом и обратном направлении кривая описывает замкнутую //петлю гистерезиса.// Поле $E_{c},$ которое надо приложить для того, чтобы уменьшить $P$ до нуля, называется //коэрцитивным полем.// Величина коэрцитивного поля в сегнетоэлектриках (табл. 2) зависит от таких факторов, как температура, частота поля, толщина и качество кристалла. Величина поляризации $P_{r} $ на обратной кривой при $E=0$ называется //остаточной поляризацией.// | где $P_{i} =\chi E$ --- индуцированная поляризация, а $\chi$ --- диэлектрическая восприимчивость, до пересечения с осью ординат дает величину спонтанной поляризации образца $P_{s}.$ При уменьшении поля и дальнейшем увеличении обратного поля изменение $P(E)$ идет по кривой bdfg, лежащей выше начального участка кривой, так как смещение доменных границ и рост новых доменов задерживается. При полном цикле изменения поля в прямом и обратном направлении кривая описывает замкнутую //петлю гистерезиса.// Поле $E_{c},$ которое надо приложить для того, чтобы уменьшить $P$ до нуля, называется //коэрцитивным полем.// Величина коэрцитивного поля в сегнетоэлектриках (табл. 2) зависит от таких факторов, как температура, частота поля, толщина и качество кристалла. Величина поляризации $P_{r} $ на обратной кривой при $E=0$ называется //остаточной поляризацией.// |
| |
| \noindent ~$P_{s} $$P_{r} $~~$E_{c} $~$P_{s} $$P_{r} $~~$E_{c} $\includegraphics*[width=3.31in, height=3.41in, keepaspectratio=false]{image20} | **Таблица 2** |
| | |
| \noindent \textit{} | |
| | |
| \noindent \textit{\eject Таблица 2}\textbf{\textit{}} | |
| |
| **Некоторые параметры сегнетоэлектриков** ($E_с$ --- коэрцитивное поле при низких ($\approx 60$ Гц) частотах, $\varepsilon $ --- диэлектрическая проницаемость в слабом поле. В скобках указана температура, при которой проведены измерения) | **Некоторые параметры сегнетоэлектриков** ($E_с$ --- коэрцитивное поле при низких ($\approx 60$ Гц) частотах, $\varepsilon $ --- диэлектрическая проницаемость в слабом поле. В скобках указана температура, при которой проведены измерения) |
| поэтому зависимость $\vec D(\vec E)$ также имеет вид петли гистерезиса. Для случая сегнетоэлектриков $4\pi {\vec P}\gg {\vec E}$ (${\vec P}\gg \varepsilon _{0} {\vec E}$ в системе СИ), поэтому зависимости $P(E)$ и $D(E)$ различаются только масштабом. | поэтому зависимость $\vec D(\vec E)$ также имеет вид петли гистерезиса. Для случая сегнетоэлектриков $4\pi {\vec P}\gg {\vec E}$ (${\vec P}\gg \varepsilon _{0} {\vec E}$ в системе СИ), поэтому зависимости $P(E)$ и $D(E)$ различаются только масштабом. |
| |
| Кривая \textit{oabc}, которую описывает точка вершины \textit{частного цикла} при плавном увеличении поля, называется \textit{основной кривой поляризации }$D_{oabc} (E)$\textit{.} Из-за нелинейной зависимости $D_{oabc} (E)$ следует различать \textit{дифференциальную диэлектрическую проницаемость} | Кривая oabc, которую описывает точка вершины //частного цикла// при плавном увеличении поля, называется //основной кривой поляризации// $D_{oabc} (E).$ Из-за нелинейной зависимости $D_{oabc} (E)$ следует различать //дифференциальную диэлектрическую проницаемость// |
| | $$ |
| \begin{tabular}{|p{1.4in}|p{1.4in}|p{0.3in}|} \hline | \varepsilon _{dif} =\frac{dD_{oabc} }{dE} , \ \ \ \ \varepsilon _{dif} =\frac{dD_{oabc} }{\varepsilon _{0} dE} |
| $\varepsilon _{dif} =\frac{dD_{oabc} }{dE} $, & $\varepsilon _{dif} =\frac{dD_{oabc} }{\varepsilon _{0} dE} $ & \eqref{GrindEQ__14_} \\ \hline | $$ |
| \end{tabular} | и //диэлектрическую проницаемость//, определяемую как угловой коэффициент $D(E)$ в начале координат |
| | $$ |
| и \textit{диэлектрическую проницаемость}, определяемую как угловой коэффициент $D(E)$ в начале координат\textbf{} | \varepsilon =\left(\frac{dD_{oabc} }{dE} \right)_{E=0} , \ \ \ \ \varepsilon =\left(\frac{dD_{oabc} }{\varepsilon _{0} dE} \right)_{E=0} . |
| | $$ |
| \begin{tabular}{|p{1.4in}|p{1.4in}|p{0.3in}|} \hline | Последнюю можно также определить как //диэлектрическую проницаемость, измеряемую в слабом переменном поле,// т.е. в поле, интенсивность которого недостаточна для переориентации доменов. |
| $\varepsilon =\left(\frac{dD_{oabc} }{dE} \right)_{E=0} $, & $\varepsilon =\left(\frac{dD_{oabc} }{\varepsilon _{0} dE} \right)_{E=0} $. & \eqref{GrindEQ__15_} \\ \hline | |
| \end{tabular} | |
| | |
| Последнюю можно также определить как \textit{диэлектрическую проницаемость, измеряемую в слабом переменном поле, }т. е. в поле, интенсивность которого недостаточна для переориентации доменов. | |