Различия
Показаны различия между двумя версиями страницы.
Предыдущая версия справа и слева Предыдущая версия | |||
lab4:домены_и_гистерезис [2019/04/07 19:52] root_s |
lab4:домены_и_гистерезис [2019/04/07 19:56] (текущий) root_s |
||
---|---|---|---|
Строка 30: | Строка 30: | ||
поэтому зависимость $\vec D(\vec E)$ также имеет вид петли гистерезиса. Для случая сегнетоэлектриков $4\pi {\vec P}\gg {\vec E}$ (${\vec P}\gg \varepsilon _{0} {\vec E}$ в системе СИ), поэтому зависимости $P(E)$ и $D(E)$ различаются только масштабом. | поэтому зависимость $\vec D(\vec E)$ также имеет вид петли гистерезиса. Для случая сегнетоэлектриков $4\pi {\vec P}\gg {\vec E}$ (${\vec P}\gg \varepsilon _{0} {\vec E}$ в системе СИ), поэтому зависимости $P(E)$ и $D(E)$ различаются только масштабом. | ||
- | Кривая | + | Кривая oabc, которую описывает точка вершины |
- | + | $$ | |
- | \begin{tabular}{|p{1.4in}|p{1.4in}|p{0.3in}|} \hline | + | \varepsilon _{dif} =\frac{dD_{oabc} }{dE} , \ \ \ \ \varepsilon _{dif} =\frac{dD_{oabc} }{\varepsilon _{0} dE} |
- | $\varepsilon _{dif} =\frac{dD_{oabc} }{dE} $, & $\varepsilon _{dif} =\frac{dD_{oabc} }{\varepsilon _{0} dE} $ & \eqref{GrindEQ__14_} \\ \hline | + | $$ |
- | \end{tabular} | + | и //диэлектрическую проницаемость//, определяемую как угловой коэффициент $D(E)$ в начале координат |
- | + | $$ | |
- | и \textit{диэлектрическую проницаемость}, определяемую как угловой коэффициент $D(E)$ в начале координат\textbf{} | + | \varepsilon =\left(\frac{dD_{oabc} }{dE} \right)_{E=0} , \ \ \ \ \varepsilon =\left(\frac{dD_{oabc} }{\varepsilon _{0} dE} \right)_{E=0} . |
- | + | $$ | |
- | \begin{tabular}{|p{1.4in}|p{1.4in}|p{0.3in}|} \hline | + | Последнюю можно также определить как |
- | $\varepsilon =\left(\frac{dD_{oabc} }{dE} \right)_{E=0} | + | |
- | \end{tabular} | + | |
- | + | ||
- | Последнюю можно также определить как | + |