Различия
Показаны различия между двумя версиями страницы.
Следующая версия | Предыдущая версия | ||
lab4:контрольные_вопросы41 [2019/04/06 17:27] root_s создано |
lab4:контрольные_вопросы41 [2019/09/10 17:23] (текущий) root_s [Содержание отчета] |
||
---|---|---|---|
Строка 13: | Строка 13: | ||
{{ : | {{ : | ||
+ | |||
+ | ===== Задание 1 ===== | ||
+ | |||
+ | - Используя цифровой универсальный вольтметр, | ||
+ | - Зная величину сопротивления $R_{12}$ и максимально допустимый ток через образец (2 мА), рассчитайте соответствующую величину напряжения, | ||
+ | - Подключите к выходу генератора дополнительную нагрузку и цифровой вольтметр. Установите частоту $\sim $ 100 Гц. Включите генератор и подберите выходное напряжение не более расчётного. | ||
+ | - Соберите схему {{ : | ||
+ | - Запишите вольт-амперную характеристику. Нажмите кнопку **STOP& | ||
+ | - Используя экспериментальные данные, | ||
+ | |||
+ | ===== Изучение температурной зависимости проводимости полупроводника ===== | ||
+ | |||
+ | Схема установки для измерения температурной зависимости проводимости показана на рисунке | ||
+ | {{ : | ||
+ | и включает исследуемый образец, | ||
+ | |||
+ | ==== Контрольные вопросы ==== | ||
+ | |||
+ | - Как согласно теории должно зависеть напряжение на контактах 3, 4 от температуры? | ||
+ | - Зная сопротивление образца и величину тока (1 мА), рассчитайте напряжение источника тока. | ||
+ | - Какова должна быть скорость нагрева образца? | ||
+ | |||
+ | ===== Задание 2 ===== | ||
+ | |||
+ | - Соберите схему {{ : | ||
+ | - Откройте программу измерения зависимости напряжения от температуры " | ||
+ | - Поместите образец в нагреватель, | ||
+ | - Постройте график зависимости ln$\sigma = f(Т^{-1}).$ [[Методом наименьших квадратов]] определите ширину запрещенной зоны $E_{g}$ полупроводника и вычислите погрешность. | ||
+ | - Сравните полученный результат с табличными данными и определите материал исследуемого полупроводника. | ||
+ | - Вычислите собственную концентрацию носителей и суммарную подвижность при комнатной температуре как $u=u_{n} +u_{p} $. По соотношению Эйнштейна вычислите коэффициент диффузии. Оцените время диффузии частицы на характерном размере полупроводникового элемента порядка 1 мкм. | ||
+ | |||
+ | ===== Дополнительные вопросы ===== | ||
+ | |||
+ | - Как изменится график ln $\sigma = f(Т^{-1})$, | ||
+ | - Какой энергии пропорционален угловой коэффициент $\beta $ на рис.? {{ : | ||
+ | - Какова связь между коэффициентом диффузии и подвижностью для частиц, | ||
+ | |||
+ | ===== Содержание отчета ===== | ||
+ | |||
+ | Отчет должен содержать следующие измеренные данные и результаты их обработки и анализа. | ||
+ | |||
+ | **К первому заданию: | ||
+ | |||
+ | * расчетные формулы; | ||
+ | * схему измерительной установки; | ||
+ | * вольт-амперную характеристику; | ||
+ | * значение проводимости $\sigma$ при комнатной температуре с указанием погрешности. | ||
+ | |||
+ | **Ко второму заданию: | ||
+ | |||
+ | * расчетные формулы; | ||
+ | * схему измерительной установки; | ||
+ | * график температурной зависимости проводимости; | ||
+ | * график зависимости ln$\sigma = f(Т^{-1})$; | ||
+ | * значение ширины запрещенной зоны $E_g$, концентрации, | ||
+ | |||
+ | Назад к описанию [[: | ||
+ |