Processing math: 100%

Измерение проводимости полупроводника при комнатной температуре

Схема установки для определения проводимости полупроводника при комнатной температуре показана на рисунке Схема измерения вольт-амперной характеристики полупроводника и включает: исследуемый образец, генератор низкой частоты двуполярных сигналов, сопротивление R, блок регистрации, персональный компьютер ПК.

При протекании в цепи образца тока I на сопротивлении R происходит падение напряжения, пропорциональное току U=IR, которое подается в канал I блока регистрации. Разность потенциалов между контактами (3, 4) образца подается в канал U. Получив вольт-амперную характеристику, зная геометрические размеры образца и его сопротивление, можно по формуле j=σE рассчитать проводимость полупроводника.

Назад к описанию оборудования и образца или далее к контрольным вопросам и заданию