Измерение ВАХ диода в режиме закона трех вторых (область II на рис. 7, б) и ее построение в координатах $(U^{\frac{3}{2}},I)$ позволяет проверить факт выполнения такой зависимости $$(*) \ \mbox{ } \ j_{K}=\frac{\sqrt{2}}{9\pi}\sqrt{\frac{e}{m}}\frac{U_{a}^{\frac{3}{2}}}{r_{a}r_{k}\beta^{2}}$$ между потенциалом и током анода и область ее существования. По наклону ВАХ из формулы (*) можно найти отношение $\frac{e}{m}$ для электрона.

Обратите внимание, что эта формула в СГС, для перевода в СИ используйте перевод формул из СГС в СИ согласно таблице.

Для измерения ВАХ используется та же схема и оборудование, что и в лабораторной работе 2.1.:

1. на накал лампы подайте напряжение от источника Актаком-ATH-1335 ;
2. измерить $2\div 3$ вольт–амперные характеристики диода при максимальном и меньших значениях тока накала;
3. используя кривую при максимальном токе накала, получить зависимость тока анода $I$ от $U^{\frac{3}{2}}$, заполнив табл. 3 и построив с ее помощью график $I(U^{\frac{3}{2}})$ для всех измеренных ВАХ;
4. выделить на графиках области, максимально соответствующие прямым линиям и провести их на графиках. Объяснить причины расхождения на краях области;
5. по графику определить отношение $\frac{e}{m}$, с учётом параметров диода 2ДЗБ и принимая значение $\beta =0,95$. Сравнить с табличным значением. Определить погрешность.

Назад к описанию лабораторных работ «Физические явления в вакуумном диоде»