lab4:lab4

Это старая версия документа!


Лаб. № 4.1. - Определение ширины запрещенной зоны полупроводника

Выполняемый в данной работе эксперимент состоит из двух частей. В первой записывается вольт-амперная характеристика образца, из которой определяется проводимость исследуемого полупроводника при комнатной температуре. Во второй части изучается температурная зависимость проводимости, из которой можно рассчитать ширину запрещенной зоны, концентрацию носителей и их подвижность

Видео инструкция выполнения работы:

Лаб. № 4.2. - Движение носителей заряда в полупроводниках, помещенных в магнитное поле. Эффект Холла

Цель работы: изучить движение носителей заряда в полупроводнике, помещенном в магнитное поле. Определить тип проводимости, концентрацию и подвижность носителей заряда.

Лаб. № 4.3. - Изучение свойств сегнетоэлектрика

Цель работы: изучение зависимости спонтанной поляризации и диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрика от температу-ры и измерение характеристических параметров образца из сегнетоэлектрической керамики.

Лаб. № 4.4. - Изучение свойств магнитоупорядоченных веществ

Цель работы: изучение процессов намагничивания и перемагничивания ферромагнетиков и ферритов, определение основных характеристик этих материалов (коэрцитивного поля, остаточной намагниченности, магнитной проницаемости, потери на перемагничивание) и их сравнение.

https://youtu.be/l8utA_OJYxM

Лаб. № 4.5. - Изучение магнитной восприимчивости гадолиния вблизи точки Кюри

Цель работы: понять суть метода дифференциального трансформатора, получить температурную зависимость магнитной вос-приимчивости, определить температуру Кюри и критический индекс магнитной восприимчивости.